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江蘇邱成機電有限公司
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產(chǎn)品展示首頁 > 產(chǎn)品展示 > 工程控制設(shè)備 > 進(jìn)口 > CT2005-50-400/50優(yōu)勢供應(yīng)*SYSTEM ELECTRIC晶閘管
CT2005-50-400/50優(yōu)勢供應(yīng)*SYSTEM ELECTRIC晶閘管的詳細(xì)資料：
優(yōu)勢供應(yīng)*SYSTEM ELECTRIC晶閘管
優(yōu)勢供應(yīng)*SYSTEM ELECTRIC晶閘管
江蘇邱成機電有限公司
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優(yōu)勢供應(yīng)品牌及型號：伍爾特五金工具及化學(xué)品，哈恩庫博，蓋米閥門，施邁賽開關(guān)，IMM噴嘴，Ergoswiss液壓升降系統(tǒng)，Socla閥，kobold 科寶流量計開關(guān)等，SBS平衡裝置，ODU連接器，SCHURTER 碩特濾波器等，amf 夾具，菲尼克斯魏格米勒端子連接器，本特利 英維思的模塊卡件等
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江蘇邱成機電有限公司是一家集研發(fā)、工程、銷售、技術(shù)服務(wù)于一體的現(xiàn)代化企業(yè)，是國內(nèi)自動化領(lǐng)域競爭力的設(shè)備供應(yīng)商。公司主要經(jīng)營歐美和日韓 等發(fā)達(dá)國家的機電一體化設(shè)備、高精度分析檢測儀器、環(huán)境與新能源工業(yè)設(shè)備及電動工具等工控自動化產(chǎn)品。
憑借專業(yè)*的技術(shù)與商務(wù)團(tuán)隊， 公司在為客戶帶來優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的同時還可提供自動化工程技術(shù)服務(wù)及成套解決方案。
公司
| Art-Nr.10013；H13300X300X78mm |
| M220-SE1571 |
| Nr.312879-01 |
| R120-04AK |
| 2904313 |
| KAS-80-14-?-M12-PTFE |
| cutting knife for wire cutter Bestllnr.M001719 |
| SensoPart 18/30 R 3/500-MSC |
| VT11118-1X |
| Mankenberg GmbH |
| 720-094.006:01 |
947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世，是20世紀(jì)的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的誕生吹響了號角。
電力晶體管20世紀(jì)初的10年，通信系統(tǒng)已開始應(yīng)用半導(dǎo)體材料。20世紀(jì)上半葉，在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機，就采用礦石這種半導(dǎo)體材料進(jìn)行檢波。半導(dǎo)體的電學(xué)特性也在電
話系統(tǒng)中得到了應(yīng)用。
電力晶體管| Flansch ID:201437-01 |
| 0240 D 010 BH4HC |
| WR7061900537 |
| FL - Industrievertretung |
| 71- 2EBGZVA |
| 014304320 G14/L CW614N 12Bar |
| XAPM5512 |
| 430.10.33G c-430-10-33 |
| HS-AGB5-4805 |
| V 82, PP/EPDM, DN 50 NR：17.002.605 |
晶體管的發(fā)明，早可以追溯到1929年，當(dāng)時工程師利蓮費爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的。但是，限于當(dāng)時的技術(shù)水平，制造這種器件的材料達(dá)不到足夠的純度，而使這種晶體管無法制造出來。
由于電子管處理高頻信號的效果不理想，人們就設(shè)法改進(jìn)礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與礦石（半導(dǎo)體）表面相接觸的金屬絲（像頭發(fā)一樣細(xì)且能形成檢波接點），它既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發(fā)現(xiàn)摻有某種極微量雜質(zhì)的鍺晶體的性能不僅優(yōu)于礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。
在第二次世界大戰(zhàn)期間，不少實驗室在有關(guān)硅和鍺材料的制造和理論研究方面，也取得了不少成績，這就為晶體管的發(fā)明奠定了基礎(chǔ)。
為了克服電子管的局限性，第二次世界大戰(zhàn)結(jié)束后，貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎(chǔ)研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導(dǎo)體材料，探討用半導(dǎo)體材料制作放大器件的可能性。
1945年秋天，貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導(dǎo)體研究小組，成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作，長期從事半導(dǎo)體的研究，積累了豐富的經(jīng)驗。他們經(jīng)過一系列的實驗和觀察，逐步認(rèn)識到半導(dǎo)體中電流放大效應(yīng)產(chǎn)生的原因。布拉頓發(fā)現(xiàn)，在鍺片的底面接上電極，在另一面插上細(xì)針并通上電流，然后讓另一根細(xì)針盡量靠近它，并通上微弱的電流，這樣就會使原來的電產(chǎn)生很大的變化。微弱電流少量的變化，會對另外的電產(chǎn)生很大的影響，這就是“放大”作用。
布拉頓等人，還想出有效的辦法，來實現(xiàn)這種放大效應(yīng)。他們在發(fā)射極和基極之間輸入一個弱信號，在集電極和基極之間的輸出端，就放大為一個強信號了。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，上述晶體三極管的放大效應(yīng)得到廣泛的應(yīng)用。
巴丁和布拉頓初制成的固體器件的
放大倍數(shù)為50左右。不久之后，他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點，來代替金箔接點，制造了“點接觸型晶體管”。1947年12月，這個世界上早的實用半導(dǎo)體器件終于問世了，在*試驗時，它能把音頻信號放大100倍，它的外形比火柴棍短，但要粗一些。
| DBE 2-700 |
| ZM505-3+140 |
| 23611306020/00 Gewindedorn M6 EPK,P2001,P2007 |
| TA 80S220+001 |
| AGRLE-32 |
| TFF9602500K |
| R677 32 D 78 71 14 0 FDZ |
| NVA994556045 |
| Protective cap712/ 08-351-000-001/BU0061 （without cable) |
| PLP20.25D0-31S1-LGE/GD-N-EL |
在為這種器件命名時，布拉頓想到它的電阻變換特性，即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的，于是取名為trans-resistor(轉(zhuǎn)換電阻)，后來縮寫為transistor，中文譯名就是晶體管。
由于點接觸型晶體管制造工藝復(fù)雜，致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障，它還存在噪聲大、在功率大時難于控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點，肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導(dǎo)體接點的大膽設(shè)想。半導(dǎo)體研究小組又提出了這種半導(dǎo)體器件的工作原理。
1950年，只“PN結(jié)型晶體管”問世了，它的性能與肖克萊原來設(shè)想的*一致。今天的晶體管，大部分仍是這種PN結(jié)型晶體管。(所謂PN結(jié)就是P型和N型的結(jié)合處。P型多空穴。N型多電子。)
1956年，肖克利、巴丁、布拉頓三人，因發(fā)明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學(xué)獎。
晶體管的發(fā)展
1）真空三極管
1939年2月,Bell實驗室有一個偉大的發(fā)現(xiàn),硅p_n結(jié)的誕生。1942年,普渡大學(xué)Lark_Horovitz的課題組中一個名叫Seymour Benzer的學(xué)生,發(fā)現(xiàn)鍺單晶具有其它半導(dǎo)體所不具有的優(yōu)異的整流性能。這兩個發(fā)現(xiàn)滿足了美國政府的要求,也為隨后晶體管的發(fā)明打下了伏筆 [2] 。
2）點接觸晶體管
1945年二戰(zhàn)結(jié)束,Shockley等發(fā)明的點接觸晶體管成為人類微電子革命的先聲。為此,Shockley為Bell遞交了個晶體管的專
利申請。終還是獲得了個晶體管利的 [2] 。
| aXlink100 |
| 2.492.45 |
| 2811585/IN41/out02/30/None 0..75mV=4..20mA,limit f:30Hz,NONE |
| 01-311P-00-H0+H012003+BCC |
| AGF-VA-350-T |
| MSA20×1.0 |
| 385420-0W |
| 247.6.010.016 |
| MBPS 3505AS1 |
| OPT162-P06 |
| LC495M ID:760946-01 |
3）雙極型與單極型晶體管
Shockley在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上,于1952年進(jìn)一步提出了單極結(jié)型晶體管的概念,即今天所說的結(jié)型晶體管。其結(jié)構(gòu)與pnp或npn雙極型晶體管類似,但在p_n材料的界面存在一個耗盡層,以使柵極與源漏導(dǎo)電溝道之間形成一個整流接觸。同時兩端的半導(dǎo)體作為柵極。通過柵極調(diào)節(jié)源漏之間電流的大小 [2] 。
4）硅晶體管
5）集成電路
在1954年硅晶體管發(fā)明之后,晶體管的巨大應(yīng)用前景已經(jīng)越來越明顯?？茖W(xué)家的下一個目標(biāo)便是如何進(jìn)一步把晶體管、導(dǎo)線及其它器件高效地連接起來 [2] 。
6）場效應(yīng)晶體管與MOS管
1961年,MOS管的誕生。1962年,在RCA器件集成研究組工作的Stanley, Heiman和Hofstein等發(fā)現(xiàn),可以通過擴(kuò)散與熱氧化在Si基板上形成的導(dǎo)電帶、高阻溝道區(qū)以及氧化層絕緣層來構(gòu)筑晶體管,即MOS管 [2] 。
7）微處理器(CPU)
英特爾公司在創(chuàng)立之初,目光仍然集中在內(nèi)存條上。Hoff把處理器的全部功能集成在一塊芯片上,再加上存儲器;這就是世界上的片微處理器—4004(1971年)。4004的誕生標(biāo)志著一個時代的開始,隨后英特爾在微處理器的研究中一發(fā)不可收拾,
騷 [2] 。
| DW-AS-503-M5 |
| RC0373CZ090H |
| MVPFA06-P/A-100-G24/ |
| EY-AS525F001 |
| lapp kabel Deutschland |
| S15 A1.0 R00420537 |
| 827A.X2-A00-M14-20MA 1.4-7BAR |
| TDA 260/280X16 s-nr:010152 |
| 4027007986 (ehem. Saltus Artikelnr.: 8699 0052 41) |
| Hydreco Hydraulics GmbH |
| KV06102 TKV-1V-22-QUAD |
| 如果你對CT2005-50-400/50優(yōu)勢供應(yīng)*SYSTEM ELECTRIC晶閘管感興趣，想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息，填寫下表直接與廠家聯(lián)系： |